2023激光元部件市場前景以及未來趨勢分析

• 劉明月 2023年9月27日 來源：中研研究院 1015 64
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中國激光元部件行業市場的發展現狀，通過公司資深研究團隊對市場各類資訊進行整理分析，激光元部件行業研究報告可以幫助投資者合理分析行業的市場現狀

在中國制造業轉型升級不斷深化的背景下，產品和零件加工逐漸趨向微型化、精密化，在精細微加工方面，超快激光在光伏、顯示、半導體、LED、5G電子等領域的鉆孔、刻線、劃槽、表面紋理化、表面改性、修整、清洗等環節發揮了不可替代的作用。

按照增益介質劃分可大致分為四種類型，光纖激光器、氣體激光器、固體激光器件和半導體/準分子激光器。光纖激光器具有效率高、體積小、免維護、使用性價比高等優異的屬性，奠定了其在材料加工領域的絕對優勢。

激光元部件的鎖模技術

采用腔倒空法(脈沖透射式調Q)可以獲得脈寬最窄的調Q脈沖。其脈沖寬度近似等于光在腔內往返一次所需要的時間，即=2L/c(L為腔長，c為光速)。要壓窄脈寬，則必須縮短腔長，而腔長又受到器件輸出功率的限制。因此，從原理上講，采用調Q技術已無法獲得超短脈沖。必須從理論上探求一種新的壓縮脈寬的途徑。這就是本節要介紹的鎖模技術，也叫做超短脈沖技術。從1964年激光鎖模技術首次應用于He-Ne激光器以來，超短脈沖技術獲得了快速的發展。鎖模激光脈沖的寬度已由皮秒(10-12s)量級壓縮至幾飛秒(10-15s)。按照鎖模的工作機理，實現鎖模的方法分為主動鎖模、被動鎖模、同步泵浦鎖模、自鎖模及碰撞鎖模等多種形式。主要介紹前四種。

1)主動鎖模

主動鎖模采用周期性調制諧腔參量的方法。根據被調制的參量是振幅或相位，又分為振幅調制(或損耗調制)鎖模和相位調制(或頻率調制)鎖模。主動鎖模的基本原理是：在諧振腔中插入一個受外界信號控制的調制器，用一定的調制頻率周期性地改變腔內振蕩模的振幅或相位。當選擇調制頻率f等于縱模間隔Δνq時，對各個模的調制會產生邊頻，邊頻又與兩個相鄰縱模的頻率相一致，由此引起模之間的相互作用。若調制的強度足夠大，則使所有的振蕩模達到同步，形成重復頻率為c/2L的鎖模脈沖序列。主動鎖模的實現多采用聲光或電光調制器。

2)被動鎖模

被動鎖模是將可飽和吸收體放在諧振腔內加以實現的。其原理主要是利用可飽和吸收體的非線性吸收效應。當腔內的光強達到一定值時，可飽和吸收體對光的吸收達到飽和，透過率變為100%。如此，使強度最大的激光脈沖受到最小的損耗，從而輸出很強的鎖模脈沖。被動鎖模方法與被動Q開關二者之間的區別主要表現在：被動鎖模要求可飽和吸收體上能級的壽命非常短。有機染料是一種很合適的可飽和吸收體。

3)同步泵浦鎖模

鎖模既可以像主動鎖模那樣通過周期性地調制諧振腔的損耗或光程來實現，

也可以通過周期性地調制諧振腔的增益來實現。通過周期性地調制諧振腔的增益實現鎖模的做法：用一臺主動鎖模激光器的脈沖序列作為種子脈沖去泵浦另一臺激光器使其實現鎖模，稱之為同步泵浦鎖模。此方法的優點在于周期性泵浦時可以獲得比泵浦脈沖寬度窄得多的脈沖。如果同步泵浦染料激光器，則產生的超短脈沖的頻率在一定的波長范圍內是連續可調的。

中國激光器件行業發展迅速、競爭優勢明顯。在全球激光器市場中所占的比重也持續提升，中國激光器市場規模2020年達到109.1億美元的市場規模，占全球激光器市場66.12%的份額。預計2022年將達到147.4億美元的市場規模。

中研研究院出版的《2023-2028年(砷化鎵)半導體激光器件行業投資價值評估分析報告》顯示

2023激光元部件市場前景以及未來趨勢分析

一、激光元部件行業發展概況

激光器件光纖通信所需的光源，應該是可高速調制的光源，以便載送大容量信息。如激光器和發光管。所謂“調制”就是按照所要傳輸的信息來改變光的強度等，以承載信息。

光纖通信所需的光源，應該是可高速調制的光源，以便載送大容量信息。如激光器和發光管。所謂“調制”就是按照所要傳輸的信息來改變光的強度等，以承載信息。1960年邁曼(Maimen)發明紅寶石激光器。激光(Laser)與通常的光線的不同之處主要在于激光的光頻非常單純，具有線狀譜線，光學中稱為相干光，最適合做光纖通信的光源。相干光的特點是光能集中，是發散角很小，近似平行光。

在紅寶石激光器發明后，各色各樣的激光器相繼誕生：有氣體激光器，如氦氖激光器;有固體激光器，如YAG銥鋁石榴石激光器;有化學激光器;染料激光器等。其中半導體激光器最適合作光纖通信的光源，它的體積小，效率高，激光元部件的波長同光纖的低損失窗口相適合。但半導體激光器的制造工藝十分復雜，需要在極高純度無缺陷的襯底材料上外延生長5層摻雜的半導體，再在上面光刻微米尺寸的光波導，其難度與光纖相比，有過之而無不及。

于70年代末，室溫連續工作長壽命的半導體激光器終于制成。1976年，在美國亞特蘭大至華盛頓建立了世界上第一個實用化的光纖通信線路。此時半導體激光器尚未過關，光源是采用半導體發光管。在80年代初，單模光纖和激光器已經成熟，從此光纖通信大容量的優越性逐步得到發揮。

半導體激光器發出的光，譜線很純，能量集中，光束很細，能高效率地射人芯直徑僅8微米的單模光纖中。當今的高速光纖通信系統部采用半導體激光器做光源。

二、激光元部件行業技術分析

1、激光元部件的調制技術

激光是具有特殊性質的光波，例如具有良好的相干性、單色性、方向性以及高亮度。與無線電相似，可以用來作為傳遞信息的載波。激光的頻率可達1013～1015Hz，因此可供利用的頻帶很寬，信息容量大。另外，光的波長短、傳遞速度快、具有獨立傳播特性，可以借助光學系統，把一個面上的二維信息以很高的分辨率瞬間傳遞到另一個面上，為二維并行光學信息處理提供條件。所以激光是傳遞信息(包括語言、文字、圖像、符號等)的理想光波。

用激光作為信息的載體，需要解決如何將信息加載到激光上去的問題。激光元部件例如用激光傳遞語音信號，需要將語音信息加載到激光，由激光“攜帶”信息通過一定的傳輸通道(大氣、光纖等)送到光電接收器，由接收器提取加載的語音信息，從而完成通話目的。這種將信息加載到激光的過程稱之為調制，完成這一過程的裝置稱為調制器。其中，激光稱為載波，所要傳遞的信息稱為調制信號。

激光光波的電場強度是ec(t)=AccosΨ(t)=Accos(ωct+φc)式中，Ac為振幅，Ψ(t)=ωct+φc為總相角，ωc為角頻率，φc為相位角。因為激光具有振幅、頻率、相位、強度等參量，所以如果使其某一參量按調制信號的規律變化，那么，激光就受到了信號的調制，達到“運載”信息的目的。根據調制器與激光器的相對關系，可將激光調制分為兩類，即內調制和外調制。按照調制器的工作機理來分類，主要有電光調制、聲光調制、磁光調制和直接調制(又可稱為電源調制)。內調制是指在激光振蕩過程中加載調制信號，即以調制信號去改變激光器的振蕩參數，從而使輸出的激光帶有要傳遞的信息。

一種內調制方式是用調制信號直接改變激光器泵浦電源的驅動電流(例如注入式半導體激光器)，使輸出的激光強度受到調制(這種方式可稱為直接調制或電源調制，即對激光器的泵浦電源進行調制)。還有一種內調制方式是在激光諧振腔內放置調制元件，用調制信號控制調制元件的物理特性變化，改變諧振腔的參數，從而改變激光器的輸出特性，例如調Q技術就屬于這種調制。內調制具有小型化、集成度高的優點，目前主要用在光通信的注入式半導體激光中。

外調制是指激光形成之后，在激光器外的光路上放置調制器，用調制信號改變調制器的物理特性，激光通過調制器后，光波的某參量受到調制，從而帶有要傳遞的信息。由于外調制的調整方便，而且對激光器沒有影響，另外，外調制方式不受半導體器件工作速率的限制，故它比內調制速率高(約高一個數量級)，調制帶寬要寬得多。內調制和外調制以及電光調制、聲光調制、磁光調制和直接調制的關系。激光調制器按其調制的對象可分為調幅、調頻、調相及強度調制等。下面介紹這幾種調制的概念。

2、激光元部件的調Q技術

調Q技術與鎖模技術均為改善激光器輸出性能的單元技術，是應人類對高峰值功率、窄脈寬激光脈沖的應用需求而發展起來的。兩種技術壓縮脈寬的機理不同，因而壓縮的程度也不同。調Q技術可將激光脈寬壓縮至納秒量級(峰值功率達106W以上)，鎖模技術則可將激光脈寬進一步壓縮至皮秒或飛秒量級(峰值功率達到1012W)。調Q技術也叫Q開關技術，是一種獲得高峰值功率、窄脈寬激光脈沖的技術。通常，將這種高峰值功率的窄脈沖叫做巨脈沖。

調Q技術最早出現于1962年，其誕生是激光發展史上的一個重要突破。在此之前，由于普通脈沖激光器輸出的弛豫振蕩，很難獲得峰值功率高而脈寬窄的激光脈沖。調Q技術的應用，使能夠獲得峰值功率在兆瓦以上而脈寬僅為納秒量級的激光脈沖，使激光成為非常強的相干光源，并由此產生了非線性光學等新的光學分支。同時，也推動了諸如激光雷達、激光測距、高速攝影、核聚變等應用技術的發展。

3、激光元部件的自鎖模

當工作物質自身的非線性效應已能夠保持各個振蕩縱模頻率的等間隔分布且彼此之間有確定的初相位關系，不需要在諧振腔內插入任何調制元件即可實現鎖模，稱之為自鎖模。典型的自鎖模激光器——摻鈦藍寶石激光器，即是當前研究的一個熱點。

中國激光元部件行業市場的發展現狀，通過公司資深研究團隊對市場各類資訊進行整理分析，激光元部件行業研究報告可以幫助投資者合理分析行業的市場現狀，為投資者進行投資作出行業前景預判，挖掘投資價值，同時提出激光元部件行業投資策略和營銷策略等方面的建議。

中國激光元部件行業的內外部環境、行業發展現狀、產業鏈發展狀況、市場供需、競爭格局、標桿企業、發展趨勢、機會風險、激光元部件發展策略與投資建議等進行了分析。

據了解，該行業發展空間極大，未來市場現狀如何呢?請查看，中研研究院出版的《2023-2028年(砷化鎵)半導體激光器件行業投資價值評估分析報告》。

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