DRAM行業(yè)未來發(fā)展趨勢預(yù)測：DRAM行業(yè)將繼續(xù)發(fā)展壯大

• 黃文玉 2024年1月31日 來源：互聯(lián)網(wǎng) 1387 91
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動態(tài)隨機存取存儲器是一種半導(dǎo)體存儲器，主要的作用原理是利用電容內(nèi)存儲電荷的多寡來代表一個二進制比特(bit)是1還是0。由于在現(xiàn)實中晶體管會有漏電電流的現(xiàn)象，導(dǎo)致電容上所存儲的電荷數(shù)量并不足以正確的判別數(shù)據(jù)，而導(dǎo)致數(shù)據(jù)毀損。

隨著制程工藝的不斷升級，DRAM的存儲密度、訪問速度和功耗等方面也有較大的提升。這使得DRAM產(chǎn)品的性能得到了顯著提升，更好地滿足了用戶的需求。近年來，由于智能手機、服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心等市場的快速發(fā)展，對DRAM的需求量持續(xù)增長，而DRAM的產(chǎn)能增長卻相對緩慢，導(dǎo)致市場供不應(yīng)求，價格居高不下。

動態(tài)隨機存取存儲器是一種半導(dǎo)體存儲器，主要的作用原理是利用電容內(nèi)存儲電荷的多寡來代表一個二進制比特(bit)是1還是0。由于在現(xiàn)實中晶體管會有漏電電流的現(xiàn)象，導(dǎo)致電容上所存儲的電荷數(shù)量并不足以正確的判別數(shù)據(jù)，而導(dǎo)致數(shù)據(jù)毀損。因此對于DRAM來說，周期性地充電是一個無可避免的要件。由于這種需要定時刷新的特性，因此被稱為“動態(tài)”存儲器。相對來說，靜態(tài)存儲器只要存入數(shù)據(jù)后，縱使不刷新也不會丟失記憶。

DRAM的特點是速度快、集成度高、功耗低等。由于其快速的讀寫速度，DRAM被用作計算機系統(tǒng)的主內(nèi)存，用于存儲操作系統(tǒng)、應(yīng)用程序和數(shù)據(jù)等。隨著技術(shù)的發(fā)展，DRAM的容量和性能也在不斷提高，從早期的DRAM到現(xiàn)代的DDR4和GDDR5等類型，DRAM的應(yīng)用范圍也在不斷擴展。

與SRAM相比，DRAM的優(yōu)勢在于結(jié)構(gòu)簡單——每一個比特的數(shù)據(jù)都只需一個電容跟一個晶體管來處理，相比之下在SRAM上一個比特通常需要六個晶體管。正因這緣故，DRAM擁有非常高的密度，單位體積的容量較高因此成本較低。但相反的，DRAM也有訪問速度較慢，耗電量較大的缺點。與大部分的隨機存取存儲器一樣，由于存在DRAM中的數(shù)據(jù)會在電力切斷以后很快消失，因此它屬于一種易失性存儲器設(shè)備。全球DRAM或Flash市場價格分為合約價和現(xiàn)貨價，價格走勢是跟蹤景氣變化的關(guān)鍵指標，合約價：ContractPrice，大客戶，價格按照協(xié)議合約走，定期議價，不受期間價格波動影響，占比約90%。

DRAM行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀分析

DRAM通常以一個電容和一個晶體管為一個單元排成二維矩陣。基本的操作機制分為讀和寫，讀的時候先讓Bitline(BL)先充電到操作電壓的一半，然后再把晶體管打開讓BL和電容產(chǎn)生電荷共享的現(xiàn)象，若內(nèi)部存儲的值為1，則BL的電壓會被電荷共享抬高到高于操作電壓的一半，反之，若內(nèi)部存儲的值為0，則會把BL的電壓拉低到低于操作電壓的一半，得到了BL的電壓后，在經(jīng)過放大器來判別出內(nèi)部的值為0和1。寫的時候會把晶體管打開，若要寫1時則把BL電壓抬高到操作電壓使電容上存儲著操作電壓，若要寫0時則把BL降低到0伏特使電容內(nèi)部沒有電荷。

就全球存儲芯片定位而言，2021年DRAM占比全球儲存市場61%的市場份額。主要原因是DRAM屬于易失存儲器，多用與cpu緩存和圖像系統(tǒng)的幀緩存區(qū)，起到臨時儲存數(shù)據(jù)的功能，如遇斷電則數(shù)據(jù)則會丟失信息，更大的緩存空間代表同時可處理和儲存的數(shù)據(jù)更多，屬與電子設(shè)備必須的組成部分。

根據(jù)中研普華產(chǎn)業(yè)研究院發(fā)布的《2022-2027年中國DRAM行業(yè)市場深度調(diào)研及投資策略預(yù)測報告》顯示：

全球DRAM下游需求結(jié)構(gòu)而言，2021年第一大市場智能手機占比39%，具體而言，2021年全球智能手機出貨量達13.5億臺，同比2020年增長5.7%;第二大市場服務(wù)器占比34%，具體而言，出貨量和銷售額分別為1353.9萬臺和992.2億美元，同比2020年增長6.9%和6.4%;PC端整體出貨量同比2020年增長14.8%，但受整體核心配件GPU價格高漲影響，DIY需求和辦公需求萎縮，整體市占率下降，僅占比13%。

受下游智能手機和服務(wù)器等消費電子不斷擴容、IoT為代表的消費升級以及大數(shù)據(jù)云計算技術(shù)不斷突破的背景下，存儲器市場快速發(fā)展，同時因為硅價原材料高漲帶動價格上升，產(chǎn)業(yè)表現(xiàn)為明顯的量價齊升趨勢，數(shù)據(jù)顯示，2021年全球DRAM市場規(guī)模達949億美元，同比2020年增長41.6%。

數(shù)據(jù)顯示，截止2021年年底，全球DRAM產(chǎn)能約為150萬片/月，其中國產(chǎn)企業(yè)合肥長鑫已達到6萬片/月8 GB DDR4(19nm)，占比全球主要DRAM產(chǎn)能的4%，整體國產(chǎn)化水平將進一步推進。從全球DRAM芯片市場區(qū)域格局來看，美國和中國是DRAM芯片的主要消費市場，市場份額合計超七成，其中美國略高于中國，數(shù)據(jù)顯示，2019年中國DRAM消費份額占比全球34%，僅次于美國的39%。

除了計算機系統(tǒng)外，DRAM還廣泛應(yīng)用于其他數(shù)字設(shè)備中，如服務(wù)器、路由器、交換機、圖形卡等。隨著云計算、大數(shù)據(jù)等技術(shù)的發(fā)展，對高容量、高速率的DRAM需求也在不斷增加。總的來說，DRAM是計算機和數(shù)字設(shè)備中不可或缺的存儲器之一，其技術(shù)發(fā)展不斷推動著計算機和數(shù)字設(shè)備的性能提升。中國政府一直在推動半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的本土化，包括DRAM。這導(dǎo)致了對國內(nèi)DRAM廠商的需求增加，以減少對進口DRAM的依賴。國內(nèi)需求的增長激勵了本土DRAM制造商提高產(chǎn)能和技術(shù)水平。根據(jù)數(shù)據(jù)顯示，2022年中國dram存儲器行業(yè)需求量約為738.3億GB，主要集中在中南地區(qū)，占比為41%。

DRAM行業(yè)未來發(fā)展趨勢預(yù)測

除了傳統(tǒng)的計算機內(nèi)存、服務(wù)器和移動設(shè)備等領(lǐng)域，DRAM正在不斷延伸到物聯(lián)網(wǎng)、人工智能、自動駕駛等新興應(yīng)用領(lǐng)域。這些領(lǐng)域?qū)τ诟咚佟⒏呙芏取⒌凸牡拇鎯ζ餍枨缶薮螅oDRAM行業(yè)帶來了新的發(fā)展機遇。總的來說，DRAM行業(yè)現(xiàn)狀呈現(xiàn)出技術(shù)不斷進步、應(yīng)用領(lǐng)域不斷拓展、市場供不應(yīng)求、競爭格局變化和行業(yè)整合加速等特點。未來，隨著技術(shù)的進步和市場的變化，DRAM行業(yè)將繼續(xù)發(fā)展壯大。

未來，隨著技術(shù)的不斷進步和市場的變化，DRAM行業(yè)的競爭格局也將發(fā)生變化。一些老牌廠商可能面臨技術(shù)落后和市場占有率下降的困境，而一些新興廠商則可能通過技術(shù)創(chuàng)新和市場拓展快速崛起。這將影響DRAM的市場格局和競爭態(tài)勢。DRAM的未來發(fā)展前景是充滿機遇和挑戰(zhàn)的。

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